半導体を必要としないナノチューブベースのTFETが開発される

  ミシガン技術大学の研究者がナノチューブベースのTFET（トンネル磁界効果トランジスタ）を開発したそうです。使用したのは官能化された窒化ホウ素ナノチューブ（BNNT）で、この側面に沿って量子ドットを均一に散乱。電圧が小さなときはこの隙間によって電流は流れず、電圧が上昇すると電流が流れトランジスタとして機能します。このTFETは半導体を使用しないため、リーク電流や高い電気抵抗により発生する熱を冷却する必要がありません。

参照元：Nanotube-Based Tunneling Field Effect Transistor Offers Semiconductor-Free Switching - IEEE Spectrum